バイポーラトランジスター
バイポーラ(bipolar)は「二極の」という意味で、バイポーラトランジスターはP型・N型の2つの半導体、電子(electron)と正孔(hole)の2つが対をなして機能する。
PNP型トランジスター
PNP型トランジスターの原理は以下の通りで、正孔を持つP型半導体でごく薄いN型の半導体を挟んでいる。
エミッター～コレクター間に正電圧をかけても、それぞれの正孔がベースの電子と結合して空乏層(deplation layer)が生じ、電流は流れない。
ここでエミッター～ベース間に正電圧をかけると、それぞれの間の成功と電子は結合するが、ベースが非常に薄いためエミッターの正孔が通り抜けてコレクターに達し、電流が流れる。
回路図の表現は以下の通りで、コレクター・ベースに対してにエミッターに正電圧をかける。
たとえばエミッター側に負荷素子を繋ぎ、エミッター電圧をかける。ベース側の電流のON/OFFによってE-C間の電流が流れ、IBに比べて大きなIEのスイッチングや増幅が可能になる。
S8550トランジスター
S8550はFairchild社のSS8550の中国製らしい。PNP型のトランジスターで、以下の特徴を持つ。
- 低圧、大電流タイプのPNPトランジスター
- To-92パッケージ
- 連続最大コレクター電流：500mA
- CE間電圧：VCEO = –25V
- CB間電圧：VCBO = –40V
- EB間電圧：VBEO = –5V
- 電流増幅率：hFE = 85～300
ピン配置は以下の通り。
