トランジスター

バイポーラトランジスター

バイポーラ(bipolar)は「二極の」という意味で、バイポーラトランジスターはP型・N型の2つの半導体、電子(electron)と正孔(hole)の2つが対をなして機能する。

PNP型トランジスター

PNP型トランジスターの原理は以下の通りで、正孔を持つP型半導体でごく薄いN型の半導体を挟んでいる。

エミッター~コレクター間に正電圧をかけても、それぞれの正孔がベースの電子と結合して空乏層(deplation layer)が生じ、電流は流れない。

ここでエミッター~ベース間に正電圧をかけると、それぞれの間の成功と電子は結合するが、ベースが非常に薄いためエミッターの正孔が通り抜けてコレクターに達し、電流が流れる。

回路図の表現は以下の通りで、コレクター・ベースに対してにエミッターに正電圧をかける。

たとえばエミッター側に負荷素子を繋ぎ、エミッター電圧をかける。ベース側の電流のON/OFFによってE-C間の電流が流れ、IBに比べて大きなIEのスイッチングや増幅が可能になる。

 

S8550トランジスター

S8550はFairchild社のSS8550の中国製らしい。PNP型のトランジスターで、以下の特徴を持つ。

  • 低圧、大電流タイプのPNPトランジスター
  • To-92パッケージ
  • 連続最大コレクター電流:500mA
  • CE間電圧:VCEO = –25V
  • CB間電圧:VCBO = –40V
  • EB間電圧:VBEO = –5V
  • 電流増幅率:hFE = 85~300

ピン配置は以下の通り。

 

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